Penderia IR yang tepat untuk wafer

Fri, 24 Jul 2026 11:46:02 +0800

Mengapa Kami Menggantikan Penggunaan Udara Terpaksa dengan Kaedah Pemanasan IR dalam Proses Pemprosesan Wafer
Jika anda pernah terlibat dalam proses pemprosesan semikonduktor, pasti anda tahu betapa menyakitkannya menunggu. Secara khususnya, menunggu wafer mencapai suhu yang tepat menggunakan udara panas.

Masalahnya ialah penggunaan udara terpaksa sangat lambat. Anda hanya menghembuskan gas panas ke arah wafer, dengan harapan haba tersebut dapat diserap oleh wafer dengan efektif. Namun, cara ini menyebabkan kelewatan dalam proses pemanasan, sehingga merosakkan waktu kerja anda.

Pemanas inframerah tepat untuk elektronik

Thu, 04 Jun 2026 03:37:46 +0800

Pada lantai fab, soft bake pada 90°C dengan drift ±0.5°C akan mengubah uniformiti CD dan menjejaskan hasil. Suhu bukanlah kawalan latar—ia menentukan bagaimana photoresist bertindak balas, bagaimana ia melekat, dan sama ada corak itu kekal konsisten pada proses seterusnya. Apabila kawalan terma tidak stabil, kesannya dapat dilihat dengan cepat: kecacatan semasa pemeriksaan, dan kerja semula yang semakin bertimbun.

Apa yang penting di bawah permukaan
Kami membina pemanas inframerah tepat menggunakan sumber NIR, yang menghantar tenaga terus ke dalam silikon dan lapisan photoresist. Sepanjang permukaan bake, kami sasarkan uniformiti pada tahap wafer ±0.1°C, dan setpoint dapat mencapai kestabilan dalam beberapa saat, bukan minit. Cleanroom Kelas 1–100 disokong dengan bahan rendah pelepasan gas dan reka bentuk kawalan partikel, mengekalkan sifar penghasilan partikel apabila dalam keadaan stabil. Pengawal mengekalkan bajet terma yang konsisten, dengan kebolehulangan yang sesuai untuk kawalan proses statistik.

Ketepatan on Infrared Heat Element Corporation

Penderia IR yang tepat untuk wafer

Pemanas inframerah tepat untuk elektronik