Полупроводниковая лампа с коротковолновым инфракрасным излучением

Thu, 18 Jun 2026 04:22:43 +0800

На производственном участке даже небольшое изменение температуры в размере 0,1°C во время обработки фоторезиста может привести к смещению критических размеров изделий на несколько нанометров. Это уже не является допустимой погрешностью – это причина для отказа изделия. Мы разработали лампы с коротковолновым инфракрасным излучением, чтобы исключить такую неопределенность. Благодаря этому степень однородности поверхности пластины соответствует заданным параметрам, а не является чем-то случайным.

Ядро лампы представляет собой источник коротковолнового инфракрасного излучения; оно выбрано потому, что способно быстро нагревать объекты с низкой тепловой инерцией. Максимум излучения совпадает с спектром поглощения фоторезиста, поэтому энергия поступает в сам слой фоторезиста, а не в носители заряда. Таким образом, степень однородности поверхности пластины остается на уровне ±0,1°C даже при использовании подложек размером 150/200/300 мм. Стабильность температуры составляет менее 0,5°C во время процесса нагрева.

Инфракрасное Излучение on Infrared Heat Element Corporation

Полупроводниковая лампа с коротковолновым инфракрасным излучением