在MEMS生产线上，温度变化不仅仅是一个参数——它直接影响良率。在光刻过程中，即使软烘或硬烘温度偏离几十分之一度，也会导致晶圆上的关键尺寸扩散，使器件在离开制程轨道之前就报废。我们的红外加热器正是针对这一实际需求设计的。
关键在于可重复的加热，且供热要清洁。我们的短波红外发射阵列能快速将能量直接传递到晶圆上，最大限度减少热滞后。在加热区内，晶圆温度均匀性控制在±0.1°C以内，保证每次光阻烘烤都符合热预算，且边缘无过温偏差。
加热体采用石英和高纯陶瓷制造，适用于Class 1–100级洁净室。升温过程中无颗粒爆发，且加热面与工艺气流隔离，有效防止污染。效益体现在光阻剖面稳定、可预测且可批次间转移。
控制系统确保设备稳定运行。亚秒级温度响应缩短循环时间，减少晶圆在高温状态下的停留；能耗降低，因为加热按需启动，待机损耗极小。系统可实现全天候24/7运行，无计划停机，发射器寿命支持超过5000小时输出稳定，备件需求减少，维护时间窗缩短。更好的重复性提高关键尺寸（CD）控制，降低废品率。
**红外加热属于直视加热。**安装对位和反射器几何形状必须匹配腔体和晶圆路径。我们提供尺寸模板和热间隙图，但整合工作不可妥协。请提前规划机械空间和冷却路径，加热器才能实现工艺要求的精度。